東京高等裁判所 昭和４４年（行ケ）１１５号 判決
一 請求原因一ないし三の事実、すなわち、本願発明についてされた特許庁における手続の経緯、本願発明の特許請求の範囲及び本件審決の理由は、いずれも当事者間に争いがない。
二 そこで、原告が主張する本件審決の取消事由の存否につき判断する。
（一） 本願第一発明について
１ 相違点の看過
当事者間に争いのない本願発明の特許請求の範囲１によれば、本願第一発明は、一体化半導体回路の組立方法に関する発明であり、「半導体ウエフアーを絶縁基体の一表面に固着し、次いで、半導体ウエフアーの所定部を完全にエツチングすることにより、物理的に分離された複数個の部分を形成して相互に電気的に絶縁し、その後、この相互に分離絶縁されている部分に複数個の電気回路素子を形成すること」を不可欠の構成とするものであつて、これら複数の工程の組合わせからなる方法の発明であることが明らかである。そして、成立に争いのない甲第三号証によれば、本願発明の明細書には、次の趣旨の記載、すなわち、従来における電子回路小型化のための多数の方法や技術は、「全回路を組立てるために多数、そして多様の作業を必要とする」が、「不幸にして、必要とする工程の多くは両立しない」ものであつたのに対し、本願発明は、従来における小型化への手段と異なり、「回路小型化の最終的な形は、すべての回路エレメントに同一材料を使用し、その生産にはできるだけ少ない両立可能な工程を使用してのみ達成される」という考え方に基くもので、本願発明において、「重要なる点は成型上の着想にある。この形成上の着想こそ、回路中に必要な部品間の分離を可能とし、各部品を決定する、換言すれば各部品に与えられた場所を限定する」のであり、「ウエフアーを工程中に成型し、拡散により希望する適当な関係にある種々の回路要素を作ることが可能である。」と記載されていることが認められる。右認定及び本願発明の特許請求の範囲１、２を併せ考えると、本願第一発明において、要旨とする前記各工程の時間的順序や組合わせは、右記載のごとき本願発明の課題、目的及び作用効果との関係で技術的に無意味なものであるとは到底いえない。
一方、成立に争いのない甲第二号証によれば、引用例には、特許請求の範囲を「異なる導電型を有する少なくとも三部分を交互に結合した半導電性単結晶体よりなるトランジスタのごとき半導電性電極装置において、少なくとも一個のトランジシヨンを有する単結晶体を少なくとも二区域に切断して、対応する導電型の別々の部分を設けたことを特徴とするトランジスタの如き半導電性電極装置。」とする発明が記載されており、引用例中には、例えば「本発明によれば、電極系を半導電性単結晶体にて構成し、その少なくとも一トランジシヨンを少なくも二個の区域に切断して、対応する導電型の分割せる部分を設ける。結晶体の表面に例えば鋸切れ目をつけて切断し、トランジシヨンを横断せしめる。その代わりにトランジシヨンを一個の孔で横断してもよい。」との記載のあることが認められるから、引用例に記載されているのは、物の発明であるが、その製造方法についても右の限りで開示されているということができる。
しかるに、当事者間に争いのない本件審決の理由によれば、本件審決は、本願第一発明と引用例との対比判断において、両者の各製造工程の順序や組合わせの差異につき明確に相違点として把握することなく、単に両者の各工程を分解して個々の工程をそれぞれ対比しているにすぎないことが明らかであり、各工程の順序や組合わせの相違を看過しているものといわざるをえない。
被告は、本願第一発明のように複数の半導体素子を絶縁基体上に並置する程度の方法については、「物」自体が想起されれば、それを実現する工程の順序を含む製造方法は当業者にとつて自明であると主張する。本願第一発明の方法により結果的に複数個の一体化半導体回路が形成された半導体素子を絶縁基体上に並置したものが組立てられることは明らかであり、一方、半導体ウエフアー中に複数個の回路部品を形成した一体化半導体回路は新規なものではなく、絶縁基体上に複数の平板状電気回路素子あるいは半導体素子を固着することが本願発明の優先権主張日当時周知慣用の技術であつたことは、原告も自認しているところであるから、もし、本願第一発明が単にあらかじめ完成された独立の各素子を絶縁基体上に固着し並置することにすぎないとすれば、それは当業者にとつて自明であつたということができるであろう。しかしながら、本願第一発明は、前記認定のとおり、絶縁基体の表面に半導体ウエフアーを固着した後、所定部を完全にエツチングして複数個の部分に分離し、その後に、右分離された部分に各素子を形成するものであつて、単にあらかじめ完成された独立の各素子を絶縁基体上に固着し並置するものではなく、右各工程の順序や組合わせが技術的に無意味であるとはいえず、しかも、本件審決は、後記２のとおり、現に、本願第一発明における各工程の順序や組合わせを誤解した結果、本願第一発明と引用例との相違点に関する認定、判断を誤つていることに照らすと、本願第一発明の製造方法が、被告の主張するように当業者にとつて自明であつたとすることはできない。
２ 相違点に対する判断の誤り
(1) 本願第一発明は、前記のとおり、半導体ウエフアーを絶縁基体の表面に固着し、次いで、所定部を完全にエツチングすることにより、物理的に分離され電気的に絶縁された複数個の部分を形成し、その後、この分離絶縁されている部分に複数個の電気回路素子を形成することを要旨とするから、第一工程において絶縁基体に固着されるべき半導体ウエフアーとは、半導体素子（電気回路素子）を形成する処理が未完結のものを指称していることは明白である。
しかるに、本件審決は、本願第一発明において半導体ウエフアーが絶縁基体の一表面に固着されている点で引用例等の従来技術と相違するとしながら、この点に対する判断においては、平板状の「半導体素子である」半導体ウエフアーを絶縁性基板に固着することは慣用技術から容易に考えられる程度のものと判断し、あたかも、本願第一発明において絶縁基体に固着される半導体ウエフアーがすでに半導体素子を形成する処理を完全に施したものであるかのように認定しているが、これは、本願第一発明の要旨とする各工程の時間的順序と組合わせを看過したことに起因するものであつて、誤りといわざるをえない。
この点につき、被告は、本願発明の明細書においては、半導体処理が完結しているものをも「ウエフアー」と称しているから、本願第一発明において絶縁基体に固着される半導体ウエフアーが半導体素子でないとはいえない旨主張するけれども、被告がその主張の根拠とする明細書中の記載部分は、一体化半導体回路の組立技術として、それぞれ半導体素子として形成処理を完結した複数個のウエフアーを支持基材上に設置して相互に接続する場合もあるとしているにすぎないのであつて、本願第一発明の要旨とする構成と関係のない構成に関する記述であることは、前掲甲第三号証により明らかであるから、このような明細書中の記載部分を根拠とする被告の右主張は、本願第一発明の要旨とする構成を誤認しているものであり、理由がない。
そして、本願第一発明において、絶縁基体に固着されるのは半導体素子としての形成処理が未完結の半導体ウエフアーであり、しかも、その要旨とする各工程の順序や組合わせが、前記のとおり、技術的に無意味であるとか自明であるとはいえない以上、各工程の第一段階として半導体処理が未完結の半導体ウエフアーを絶縁基体に固着することと、完成された平板状の電気回路素子あるいは半導体素子を絶縁性基板に固着する慣用技術とは、ただ絶縁性基板に固着するという点においては共通しているにしても、それぞれ固着される部材の性質、固着の前後の処理工程が異なつており、本願発明の課題、目的及び作用効果に照らすと、両者の技術的意味には差異があるというべきである。したがつて、本件審決が、他に特段の理由を示すことなく、本願第一発明において、絶縁性基板に固着される半導体ウエフアーが平板状の半導体素子であるかのように認定し、平板状の半導体素子である半導体ウエフアーを絶縁性基板に固着することが慣用技術から容易に考えられる程度のものと判断したことは、誤りである。
(2) 本願第一発明は、前記のとおり、半導体ウエフアーを絶縁基体の一表面に固着し、次いで、半導体ウエフアーの所定部を完全にエツチングすることにより、物理的に分離された複数個の部分を形成して相互に電気的に絶縁することを要旨としているから、本願第一発明において、半導体ウエフアーの複数個の部分が相互に電気的に絶縁されるのは、絶縁基体に固着された半導体ウエフアーの所定部を完全にエツチングして物理的に分離し、相互に隔離した複数個の部分に形成することによつて生ずることは明らかである。
そこで、引用例に記載されている半導体装置に、本願第一発明におけるような意味の絶縁、すなわち絶縁基体上の半導体部材に物理的な完全な分離が形成されているか否かについて検討するに、前掲甲第二号証によれば、引用例には、「電極系を半導電性単結晶体にて構成し、その少なくとも一トランジシヨンを少なくも二個の区域に切断して対応する導電型の分割せる部分を設ける。結晶体の表面に例えば鋸切れ目をつけて切断し、トランジシヨンを横断せしめる。その代わりにトランジシヨンを一個の孔で横断してもよい。」「二重トランジスタは、第６図に示すごとく結晶体の表面に鋸切れ目をつけて造る。このトランジスタは、ｎ型の共通部分24とｐ型の薄い二部25、26とｎ型の二部27、28よりなる。」「このようにして造つた電極装置は、異なる導電型（「導電率」とあるのは誤記と認める。）を有する一対の部分間に介在するトランジシヨンすなわちジヤンクシヨンが互いに正確に相等しき場合が特に使用される。例えば、変調器、プツシユプル及び計測回路配置にもつぱら使用される。」との記載はあるが、絶縁基体上の半導体部材を物理的に完全に切断分離して相互に電気的に絶縁することを示す直接の記載はないことが認められる。
被告は、一体に連続して形成された半導体装置に切れ目を入れて、その間を分離、絶縁した複数個の半導体素子を製造するという技術的思想が、引用例の第６図の二重トランジスタに開示されていると主張する。しかし、前掲甲第二号証によれば、引用例の第６図（別紙図面参照）に示されている半導体装置（二重トランジスタ）において、結晶体の表面につけられる切れ目は、ｎ型部分27と28との間、ｐ型部分25と26との間及び二つのジヤンクシヨン（接合）の間に連続して付設されているが、ｎ型部分24にはほとんど付設されておらず、この二重トランジスタの一方は、ｎ型部分24、ｐ型部分25及びｎ型部分27で構成され、他方は、ｎ型部分24、Ｐ型部分26及びｎ型部分28で構成されており、二個のトランジスタは、それぞれｎ型部分24を共通にして物理的に結合されているものであつて、このように構成された二重トランジスタは、ジヤンクシヨンが正確に等しいことが必要な変調器、プツシユプル回路及び計測回路等にもつぱら使用されるためのものであることが認められる。そして、成立に争いのない乙第五号証ないし第七号証の各一ないし三によれば、一般に、二個のトランジスタが変調器、プツシユプル回路又は計測回路に用いられる場合は、二個のトランジスタの各一部（エミツタ）が相互に電気的に接続されるものであることが認められるから、引用例の第６図の二重トランジスタにおける二個のトランジスタも、共通のｎ型部分24（エミツタ領域）で電気的に接続されているものとみることができる。右のとおり、引用例の第６図に示されている二重トランジスタを構成する二個のトランジスタは、ｎ型部分24を共通にして物理的に結合支持され、電気的に接続されているものであり、しかも、これらが絶縁基体上に保持されていないことも、前掲甲第二号証から明らかであるから、本願第一発明におけると同様の意味で相互に物理的に分離され電気的に絶縁されている構成を開示しているものということはできない。
ところで、被告は、引用例の第６図の二重トランジスタにおいて二個のトランジスタが完全に分離切断されていないのは、二個のトランジスタの各エミツタを接続してエミツタ接地回路を構成するために、完全に分離する必要がなく、逆に分離すれば、回路構成に際し両者を電気的に接続する工程が必要となるからであり、エミツタ領域24を除いて、二個のトランジスタはそれぞれ機能上分離独立しているから、電気的に絶縁されているということができる旨主張する。引用例の二重トランジスタは、前記のとおり、二個のトランジスタの各エミツタを接続して使用する特定の電子回路にもつぱら用いられるから、被告の主張するとおり、本来、これを構成する二個のトランジスタの共通接続部分たるエミツタ領域24を物理的に完全に分離して電気的に絶縁すべきものではないのであつて、もし両者を物理的に完全に分離すれば、絶縁基体に固着されていないため共通の支持部材を失ない、そのままではそれぞれ独立した別個のトランジスタになり、二重トランジスタを構成しないことが明らかである。そうとすれば、引用例の二重トランジスタは、むしろ、絶縁基体上に固着された半導体部材を物理的に完全に分離して電気的に絶縁するという技術的思想を何ら開示していないものというべきである。また、引用例の二重トランジスタは、機能上、二個のトランジスタを物理的に完全に分離してそれぞれのエミツタを再び電気的に接続したものと同様の動作をするから、その限りにおいては二個のトランジスタが分離独立した機能を有するものとみることも可能ではあるが、この二重トランジスタは、固定的な共通接続部を有しているため、二個のトランジスタの各エミツタを接続して使用しない他の一般の電子回路に用いることができず、プツシユプル回路等特定の電子回路に用いる場合に分離独立した動作をすることができるとしても、そのことから一般的に、二個のトランジスタが機能上分離独立しているとか、電気的に絶縁されているということはできない。したがつて、被告の右主張は失当である。さらに、被告は、引用例に記載された発明の目的と慣用技術とを併せ考えると、引用例の第６図の二重トランジスタには、二個のトランジスタを電気的に絶縁し、物理的に隔離し並置する技術的思想が開示されていることが明らかであると主張するが、前掲甲第二号証によれば、引用例には、被告の主張するような発明の目的につき何ら記載のないことが認められるのみならず、慣用技術が複数の電気回路素子あるいは半導体素子を絶縁性基板上に固着する方法であるのに対し、引用例の二重トランジスタは、前記のとおり、二個のトランジスタを電気的に分離絶縁しておらず、しかも、絶縁性基板を具備していないものであつて、物理的に完全に分離するとその並置が不能となるから、慣用技術と引用例の二重トランジスタとの技術的な関連性は認められず、引用例の二重トランジスタに、被告主張のような技術的思想が開示されているとすることは相当でなく、結局、被告の右主張も採用することができない。
以上のとおりであるから、本件審決が、引用例には一体となつている半導体装置に鋸状の切れ目を入れて各素子を絶縁することが記載されているとしたのは、引用例の技術内容を誤認したものというべきであり、また、本件審決が、本願第一発明と引用例とにおける絶縁方法の相違は、不要部を除去するに当り機械的方法によるか化学的方法によるかという点にすぎず、機械的方法に代えて周知の化学的エツチング法を用いる程度のことは容易に考えられると判断したのは、引用例の技術内容を誤認したうえ、本願第一発明の要旨とする各工程の順序ないし組合わせを看過して、不要部の単なる除去方法のみを対比判断したものであつて、その前提においてすでに誤つているといわざるをえない。
３ したがつて、本件審決は、本願第一発明と引用例の各技術内容を誤認した結果、両者の相違点の認定及び相違点に対する判断を誤つていることが明らかであるから、作用効果につき検討するまでもなく、本願第一発明が引用例と周知慣用技術から容易に発明することができたとの本件審決の判断は、その合理的な理由を欠くものとして違法というべきである。
（二） 本願第二発明について
本件審決は、本願第二発明が、本願第一発明と比較して製造工程の順序が異なつているにすぎず、これらの工程はいずれを先にすることも自由に選択できることであるから、本願第一発明に対する理由と同一の理由により、本願第二発明もまた、引用例と周知慣用技術から容易に考えられる程度のものであると判断しているところ、当事者間に争いのない本願発明の特許請求の範囲１及び２を対比すると、本願第一発明が、その工程の最初に半導体素子を形成する処理（以下「半導体処理」という。）が未完結の半導体ウエフアーを絶縁基体に固着し、工程の最後に複数個の電気回路素子を形成するのに対し、本願第二発明においては、その工程の最初に半導体ウエフアーに複数個の電気回路素子を形成し、次いで、この半導体処理がされた半導体ウエフアーを絶縁基体に固着するものであり、両者は右の製造工程の順序においてのみ相違しているにすぎないことが認められる。
したがつて、本願第二発明において、絶縁基体に固着される半導体ウエフアーは、半導体処理が施されて複数個の電気回路素子が形成されているものであることが明らかであるから、絶縁基体に固着される半導体ウエフアーが半導体素子ではないとの原告の主張は失当である。つまるところ、本願第一発明につき、当裁判所が前記（一）の２(1)においてした判断は、本願第二発明に関してはこれを除外すべく、その余の前記（一）においてした判断は、本願第二発明に関してもすべて妥当する。
右のとおりであるから、本件審決は、本願第二発明と引用例との各技術内容を誤認した結果、両者の相違点の認定及び相違点に対する判断を誤つていることが明らかであり、本願第二発明が引用例と周知慣用技術から容易に発明をすることができるものとした本件審決の判断は、やはり合理的な理由を欠くものとして違法というべきである。
（三） なお、被告は、乙第四号証に示されているような技術水準の下において、本願発明は引用例及び周知慣用技術から容易に発明することができたものであると主張するけれども、被告主張のような技術内容を記載した乙第四号証が本願発明の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物であつたとしても、そこに記載されている技術が当時すでに当業者にとつて広く知られた事項であつたと認めるに足る証拠はないのみならず、本件審決がその結論に至る判断過程において乙第四号証ないしそこに記載された技術内容につき何ら言及ないし前提としていないことは明らかであつて、前記のとおり、本件審決の示した引用例及び周知慣用技術に基く理由には誤りが存在し、その理由によつては結論を正当であるとすることができない以上、審決は取消を免れず、審決が示していない新たな引用例とみられる乙第四号証をもつて、技術水準を示すものということにより本件審決の結論を理由づけることは許されないから、被告の右主張は失当であるというのほかはない。
三 よつて、本件審決の違法を理由にその取消を求める原告の本訴請求を正当として認容することとする。
〔編註その一〕 本願発明の要旨は左のとおりである。
１ 絶縁基体の一表面に半導体層あるいはウエフアーを固着し、該半導体層あるいはウエフアーの物理的に分離せられた複数個の部分を形成して該部分を電気的に互いに絶縁するため上記半導体層あるいはウエフアーを通して選択的に完全にエツチングし、その後、上記半導体層あるいはウエフアーの上記部分に複数個の電気回路素子を形成することを特徴とする一体化半導体回路の組立方法
２ 半導体層あるいはウエフアーに複数個の電気回路素子を形成し、該半導体層あるいはウエフアーを絶縁基体の一表面に固着し、上記半導体層あるいはウエフアーの物理的に分離せられた複数個の部分を形成して該部分と該部分における電気回路素子とを互いに電気的に分離するため上記半導体層あるいはウエフアーを通して選択的に完全にエツチングすることを特徴とする一体化半導体回路の組立方法
〔編註その二〕 本件に関する図面は左のとおりである。
<省略>